SS definiuje się jako:
```
$$ SS =\frac{d V_{gs}}{d \log I_{ds}} $$
```
Gdzie:
* $$V_{gs}$$ to napięcie bramka-źródło
* $$I_{ds}$$ to prąd dren-źródło
SS jest zwykle mierzone w miliwoltach na dekadę. Niższy SS wskazuje na bardziej wydajny MOSFET, ponieważ wymaga mniejszych wahań napięcia, aby zmienić prąd drenu.
Na SS wpływa kilka czynników, w tym:
* Grubość tlenku bramki
* Domieszkowanie obszarów źródłowych i drenażowych
* Długość kanału
* Temperatura
Grubość tlenku bramki jest najważniejszym czynnikiem wpływającym na SS. Cieńszy tlenek bramki skutkuje niższym SS. Jednak cieńszy tlenek bramki powoduje również, że MOSFET jest bardziej podatny na uszkodzenia.
Domieszkowanie obszarów źródłowych i drenażowych wpływa również na SS. Wyższe stężenie domieszki skutkuje niższym SS. Jednakże wyższe stężenie domieszki zwiększa również odporność pasożytniczą MOSFET-u, co może pogorszyć jego działanie.
Długość kanału jest kolejnym ważnym czynnikiem wpływającym na SS. Krótsza długość kanału skutkuje niższym SS. Jednak krótsza długość kanału powoduje również, że MOSFET jest bardziej podatny na efekty krótkokanałowe, które mogą pogorszyć jego wydajność.
Temperatura wpływa również na SS. Wyższa temperatura skutkuje wyższym SS. Dzieje się tak, ponieważ ruchliwość nośników ładunku w MOSFET-ie zmniejsza się wraz ze wzrostem temperatury, co utrudnia przełączanie MOSFET-u pomiędzy stanami włączonym i wyłączonym.
SS jest ważną wartością dla tranzystorów MOSFET, ponieważ wskazuje, jak skutecznie mogą one przełączać się między stanami włączenia i wyłączenia. Optymalizując konstrukcję MOSFET-u, możliwe jest osiągnięcie niskiego SS, co może poprawić wydajność MOSFET-u.